FZT789ATA

FZT789ATA图片1
FZT789ATA图片2
FZT789ATA图片3
FZT789ATA图片4
FZT789ATA图片5
FZT789ATA图片6
FZT789ATA图片7
FZT789ATA图片8
FZT789ATA概述

Trans GP BJT PNP 25V 3A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R

FZT789A Series PNP 3 A 25 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-223


得捷:
TRANS PNP 25V 3A SOT223-3


立创商城:
PNP 25V 3A


艾睿:
Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP FZT789ATA GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
PNP High Gain Transistor, 3A, 25V, SOT223


安富利:
Trans GP BJT PNP 25V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
FZT789A 系列 PNP 3 A 25 V 表面贴装 硅 中等功率 晶体管 - SOT-223


Verical:
Trans GP BJT PNP 25V 3A 3000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


儒卓力:
**PNP TRANSISTOR 25V 3A 2W SOT223 **


Win Source:
TRANS PNP 25V 3A SOT-223


DeviceMart:
TRANS PNP -25V -3000MA SOT-223


FZT789ATA中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -2.00 A

极性 PNP

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FZT789ATA
型号: FZT789ATA
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT PNP 25V 3A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R
替代型号FZT789ATA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FZT789ATA

Diodes 美台

当前型号

当前型号

FZT789AQTA

美台

完全替代

FZT789ATA和FZT789AQTA的区别

DPLS325E-13

美台

类似代替

FZT789ATA和DPLS325E-13的区别

STN790A

意法半导体

功能相似

FZT789ATA和STN790A的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台