FMMT417TD

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FMMT417TD概述

FMMT417 系列 NPN 0.5 A 100 V 表面贴装 硅 雪崩 晶体管 - SOT-23

- 双极 BJT - 单 NPN 雪崩模式 40MHz 表面贴装型 SOT-23-3


得捷:
TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3


立创商城:
NPN 100V 500mA


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche


艾睿:
Use this versatile NPN FMMT417TD GP BJT from Diodes Zetex to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 330 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
FMMT417 Series NPN 0.5 A 100 V SMT Silicon Avalanche Transistor - SOT-23


Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


DeviceMart:
TRANSISTOR AVALANCHE NPN SOT23-3


FMMT417TD中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC 100 V

额定电流 500 mA

额定功率 0.3333333333333333 W

极性 NPN

耗散功率 330 mW

增益频宽积 40 MHz

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 25 @10mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 25 @10mA, 10V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FMMT417TD
型号: FMMT417TD
制造商: Diodes 美台
描述:FMMT417 系列 NPN 0.5 A 100 V 表面贴装 硅 雪崩 晶体管 - SOT-23
替代型号FMMT417TD
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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