FZT1151ATA

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FZT1151ATA概述

FZT1151ATA 编带

- 双极 BJT - 单 PNP 40 V 3 A 145MHz 2.5 W 表面贴装型 SOT-223-3


得捷:
TRANS PNP 40V 3A SOT223-3


立创商城:
PNP 40V 3A


艾睿:
Implement this versatile PNP FZT1151ATA GP BJT from Diodes Zetex into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.


Allied Electronics:
PNP high gain TX SOT223, FZT1151ATA


安富利:
Trans GP BJT PNP 40V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
FZT1151A 系列 PNP 3 A 40 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - SOT-223-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 3A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 3A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


儒卓力:
**PNP TRANS. 40V 3A 2,5W SOT223 **


Win Source:
TRANS PNP 40V 3A SOT-223


DeviceMart:
TRANS PNP -40V -3000MA SOT-223


FZT1151ATA中文资料参数规格
技术参数

频率 145 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FZT1151ATA
型号: FZT1151ATA
制造商: Diodes 美台
描述:FZT1151ATA 编带
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