FDB8160-F085概述
30V, 80A, 1.5mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET
FDB8160_F085
Features
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- Typ rDSon = 1.5mO at VGS = 10V, ID = 80A
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- Typ Qg10 = 187nC at VGS = 10V
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- Low Miller Charge
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- Low Qrr Body Diode
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- UIS Capability Single Pulse and Repetitive Pulse
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- Qualified to AEC Q101
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- RoHS Compliant
FDB8160-F085中文资料参数规格
技术参数
上升时间 18.9 ns
输入电容Ciss 11825pF @15VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 254000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-263-2
外形尺寸
封装 TO-263-2
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Vehicle Security Systems, Safety and Control, Power Train, Infotainment, Other Automotive, Other, Comfort and Convenience, Body Electronics, Portable Navigation
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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