FZT757TA

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FZT757TA概述

FZT757 系列 PNP 0.5 A 300 V 硅 平面 高压 晶体管 SOT-223-3

- 双极 BJT - 单 PNP 300 V 500 mA 30MHz 2 W 表面贴装型 SOT-223-3


得捷:
TRANS PNP 300V 0.5A SOT223-3


立创商城:
PNP 300V 500mA


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP High Voltage


艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Allied Electronics:
PNP High Voltage Transistor SOT-223


安富利:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
FZT757 Series 300 V 0.5 A PNP Silicon Planar High Voltage Transistor SOT-223-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# DIODES INC.  FZT757TA  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -300 V, 30 MHz, 2 W, -500 mA, 50 hFE


Win Source:
TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223


DeviceMart:
TRANS PNP -300V -500MA SOT-223


FZT757TA中文资料参数规格
技术参数

频率 30 MHz

额定电压DC -300 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 40

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买FZT757TA
型号: FZT757TA
制造商: Diodes 美台
描述:FZT757 系列 PNP 0.5 A 300 V 硅 平面 高压 晶体管 SOT-223-3
替代型号FZT757TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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