FDWS9509L-F085概述
晶体管, MOSFET, P沟道, -65 A, -40 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1.7 V
FDWS9509L_F085
Features
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- Typical RDSon = 6.3 mΩ at VGS = -10V, ID = -65 A
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- Typical Qgtot = 48 nC at VGS = -10V, ID = -65 A
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- UIS Capability
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- RoHS Compliant
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- Qualified to AEC Q101
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- Wettable flanks for automatic optical inspection AOI
FDWS9509L-F085中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0063 Ω
耗散功率 107 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 3360pF @20VVds
下降时间 71 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 107000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Solenoid and Motor Drivers, Electronic Steering, Automotive Engine Control, Integrated Starter/Alternator, Distributed Power Architectures and VRM, Primary Switch for 12V Systems, PowerTrain Management
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
在线购买FDWS9509L-F085
型号： FDWS9509L-F085
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：晶体管, MOSFET, P沟道, -65 A, -40 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1.7 V