FGH15T120SMD-F155

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FGH15T120SMD-F155概述

ON Semiconductor FGH15T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装

分离式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor


得捷:
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3


立创商城:
IGBT,1200V,15A,场截止沟槽


欧时:
ON Semiconductor FGH15T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


FGH15T120SMD-F155中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 333000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 72 ns

额定功率Max 333 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 333 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 4.82 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FGH15T120SMD-F155
型号: FGH15T120SMD-F155
描述:ON Semiconductor FGH15T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装

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