FGB40T65SPD-F085

FGB40T65SPD-F085图片1
FGB40T65SPD-F085图片2
FGB40T65SPD-F085概述

单晶体管, IGBT, N通道, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 引脚

IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 267 W 表面贴装型 D²PAK(TO-263)


得捷:
IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK


立创商城:
IGBT,650V,40A,场截止沟槽


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-263 T/R


FGB40T65SPD-F085中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 267 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 34 ns

额定功率Max 267 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 267000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-2

外形尺寸

封装 TO-263-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGB40T65SPD-F085
型号: FGB40T65SPD-F085
描述:单晶体管, IGBT, N通道, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 引脚

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台