FGY100T65SCDT参数规格_中文资料_数据手册PDF

FGY100T65SCDT概述

FGY100T65SCDT: IGBT，场截止沟槽，短路额定值，650 V，100 A

IGBT 沟槽型场截止通孔 TO-247-3

得捷:
FS3TIGBT TO247 100A 650V

立创商城:
IGBT，场截止沟槽，短路额定值，650 V，100 A

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

FGY100T65SCDT中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 62 ns

额定功率Max 750 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 ESS, UPS, Motor Control, HVAC, Solar

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGY100T65SCDT

型号： FGY100T65SCDT

描述：FGY100T65SCDT: IGBT，场截止沟槽，短路额定值，650 V，100 A