FGH30T65UPDT-F155

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FGH30T65UPDT-F155概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

Using novel field stop trench IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop trench IGBTs offer the optimum performancefor solar inverter , UPS and digital power generator where low conduction and switching losses are essential.

Features

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Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC
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Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operating
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High Current Capability
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Low Saturation Voltage: VCEsat = 1.65V Typ. @ IC = 30A
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100% of parts tested ILM2
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High Input Impedance
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Tightened Parameter Distribution
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RoHS Compliant
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Short Circuit Ruggedness > 5us @ 25oC
FGH30T65UPDT-F155中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 43 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FGH30T65UPDT-F155
型号: FGH30T65UPDT-F155
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

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