Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R
Jump-start your electronic circuit design with this versatile PNP GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
频率 100 MHz
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 2 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.65 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FZT549TA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
FZT589TA 美台 | 类似代替 | FZT549TA和FZT589TA的区别 |
FZT549TC 美台 | 功能相似 | FZT549TA和FZT549TC的区别 |