FZT1051ATA

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FZT1051ATA概述

FZT1051ATA 编带

- 双极 BJT - 单 NPN 155MHz 表面贴装型 SOT-223


得捷:
TRANS NPN 40V 5A SOT223-3


立创商城:
NPN 40V 5A


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN High Gain & Crnt


艾睿:
Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN FZT1051ATA GP BJT from Diodes Zetex. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
Trans GP BJT NPN 40V 5A 4PinSOT223


安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
FZT1051A Series 40 V 5 A NPN Silicon Planar Medium Power Transistor - SOT-223-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 5A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


儒卓力:
**NPN TRANS.40V 5A 2,5W SOT223 **


Win Source:
TRANS NPN 40V 5A SOT-223


DeviceMart:
TRANS NPN 40V 5000MA SOT-223


FZT1051ATA中文资料参数规格
技术参数

频率 155 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 5.00 A

极性 NPN

耗散功率 3 W

增益频宽积 155 MHz

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 270 @1A, 2V

最大电流放大倍数hFE 290

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FZT1051ATA
型号: FZT1051ATA
制造商: Diodes 美台
描述:FZT1051ATA 编带
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