ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor
增强模式场效应使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
得捷:
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
立创商城:
FQB47P06TM-AM002
欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
针脚数 2
漏源极电阻 0.026 Ω
耗散功率 160 W
阈值电压 4 V
输入电容 2800 pF
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 450 ns
输入电容Ciss 2800pF @25VVds
下降时间 195 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 音频
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FQB47P06TM-AM002 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
FQB47P06TM_AM002 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQB47P06TM-AM002和FQB47P06TM_AM002的区别 |
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