FQB47P06TM-AM002

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FQB47P06TM-AM002概述

ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增强模式场效应使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。


得捷:
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK


立创商城:
FQB47P06TM-AM002


欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


FQB47P06TM-AM002中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

漏源极电阻 0.026 Ω

耗散功率 160 W

阈值电压 4 V

输入电容 2800 pF

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 450 ns

输入电容Ciss 2800pF @25VVds

下降时间 195 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, 音频

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQB47P06TM-AM002
型号: FQB47P06TM-AM002
描述:ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
替代型号FQB47P06TM-AM002
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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