ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4675_F085, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。
得捷:
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
立创商城:
FDS4675-F085
欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDS4675_F085, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 40 V, 11 A, 0.01 ohm, SOIC, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 11A Automotive 8-Pin SOIC T/R
针脚数 8
漏源极电阻 0.01 Ω
耗散功率 1.4 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 4350pF @20VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free