FF600R12ME4EB11BOSA1

FF600R12ME4EB11BOSA1图片1
FF600R12ME4EB11BOSA1概述

晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 600 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 底座安装 模块


欧时:
Infineon FF600R12ME4EB11BOSA1


得捷:
IGBT MOD 1200V 995A 4050W


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 600 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 13-Pin Tray


安富利:
EconoDUAL3 Module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC 1200V Tray


TME:
3-level NPC2,NTC thermistor; Urmax:1.2kV; Ic:600A; Ifsm:1.2kA


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 13-Pin Tray


FF600R12ME4EB11BOSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 13

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 37nF @25V

额定功率Max 4050 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

引脚数 13

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买FF600R12ME4EB11BOSA1
型号: FF600R12ME4EB11BOSA1
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 600 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台