FDMS10C4D2N参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDMS10C4D2N概述

FDMS10C4D2N: N 沟道屏蔽门极 PowerTrench? MOSFET 100V，124A，4.2mΩ

N-Channel 100V 17A Tc 125W Tc Surface Mount 8-PQFN 5x6

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FDMS10C4D2N

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MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN

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Trans MOSFET N-CH 100V 17A 8-Pin PQFN EP T/R

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MOSFET Energy Inversion DC-AC

FDMS10C4D2N中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2500 mW

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 2945pF @50VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 QFN

外形尺寸

封装 QFN

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDMS10C4D2N

型号： FDMS10C4D2N

描述：FDMS10C4D2N: N 沟道屏蔽门极 PowerTrench? MOSFET 100V，124A，4.2mΩ