FDS9958-F085

ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS9958_F085, 2.9 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装

PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。

最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。

PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

得捷:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS9958_F085, 2.9 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装

e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.082 ohm, -10 V, -1.6 V

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive 8-Pin SOIC N T/R