二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 30 A, 100 nC, TO-247
碳化硅 SiC肖特基二极管采用一种全新的技术, 与硅相比, 这种技术提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流, 开关特性与温度无关, 以及出色的温度性能, 碳化硅是优秀的半导体。系统优势包括高效率, 快工作频率, 高功率密度, 低EMI, 以及缩小系统尺寸, 降低成本。
额定功率 0.8 W
正向电压 1.75 V
耗散功率 259000 mW
电阻 3320 Ω
正向电流 30000 mA
正向电流Max 30 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 259000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-247
高度 1.45 mm
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead free
数据手册