FCX658A

FCX658A中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买FCX658A
型号: FCX658A
制造商: Diodes 美台
描述:SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
替代型号FCX658A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Diodes 美台

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