FDG6301N-F085概述
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 2.6 ohm, 4.5 V, 850 mV
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 25V 220mA 300mW Surface Mount SC-88 SC-70-6
得捷:
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
立创商城:
FDG6301N-F085
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 25 V, 220 mA, 2.6 ohm, SC-70, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R
FDG6301N-F085中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 2.6 Ω
耗散功率 300 mW
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 25 V
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 9.5pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 3.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买FDG6301N-F085
型号： FDG6301N-F085
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 2.6 ohm, 4.5 V, 850 mV