FDD86567-F085

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FDD86567-F085概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.9 V

N-Channel 60V 100A Tc 227W Tj Surface Mount D-PAK TO-252


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A DPAK


立创商城:
FDD86567-F085


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


FDD86567-F085中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0026 Ω

耗散功率 227 W

阈值电压 2.9 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 4950pF @30VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 227000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDD86567-F085
型号: FDD86567-F085
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.9 V

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