FQD9N25TM-F085

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FQD9N25TM-F085概述

Power Field-Effect Transistor, 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

N-Channel 250V 7.4A Tc 2.5W Ta, 55W Tc Surface Mount D-Pak


得捷:
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK


立创商城:
FQD9N25TM-F085


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


FQD9N25TM-F085中文资料参数规格
技术参数

上升时间 105 ns

输入电容Ciss 540pF @25VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQD9N25TM-F085
型号: FQD9N25TM-F085
描述:Power Field-Effect Transistor, 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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