FMMT5087TA

FMMT5087TA中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 330 mW

增益频宽积 40 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买FMMT5087TA
型号: FMMT5087TA
制造商: Diodes 美台
描述:Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon
替代型号FMMT5087TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FMMT5087TA

Diodes 美台

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