FQB7P20TM-F085

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FQB7P20TM-F085概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V

表面贴装型 P 通道 7.3A(Tc) 3.13W(Ta),90W(Tc) D²PAK(TO-263AB)


立创商城:
P沟道 200V 17.3A


得捷:
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 200 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-263AB, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 7.3A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


FQB7P20TM-F085中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

耗散功率 90 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 590pF @25VVds

下降时间 42 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3130 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQB7P20TM-F085
型号: FQB7P20TM-F085
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V

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