GHIS030A120S-A1

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GHIS030A120S-A1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 4nF @30V

封装参数

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买GHIS030A120S-A1
型号: GHIS030A120S-A1
制造商: Global Power
描述:Igbt Boost Chop 1200V 60A Sot227

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