GN2470K4-G

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GN2470K4-G概述

Trans IGBT Chip N-CH 700V 1A 2500mW 3Pin2+Tab DPAK

IGBT 700 V 1 A 2.5 W 表面贴装型 TO-252


得捷:
IC IGBT 700V 3.5A 3DPAK


立创商城:
2.5W 700V 1A


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 700V 1A 2500mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 700V, 3.5A3 DPAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 700V 1A 2500mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


GN2470K4-G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2500 mW

击穿电压集电极-发射极 700 V

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买GN2470K4-G
型号: GN2470K4-G
制造商: Microchip 微芯
描述:Trans IGBT Chip N-CH 700V 1A 2500mW 3Pin2+Tab DPAK

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