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GA01PNS80-220概述

Diode Silicon Carbide 8kV

RF Diode PIN - Single 8000V 2A

得捷:
RF DIODE PIN 8000V

贸泽:
PIN Diodes 8000V 2A Standard

艾睿:
Silicon Carbide PIN Diode

GA01PNS80-220中文资料参数规格

技术参数

正向电压 6.1 V

耗散功率 -

正向电流 2 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 Axial

外形尺寸

长度 11.18 mm

宽度 9.14 mm

高度 6.35 mm

封装 Axial

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买GA01PNS80-220

型号： GA01PNS80-220

制造商： GeneSiC Semiconductor

描述：Diode Silicon Carbide 8kV