GA100SICP12-227

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GA100SICP12-227概述

GENESIC SEMICONDUCTOR  GA100SICP12-227  合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-227

Power Driver Module 1.2kV 100A SOT-227-4, miniBLOC


得捷:
SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV


贸泽:
MOSFET 1200V 200A Standard


e络盟:
合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-227


艾睿:
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC 4-Pin SOT-227


Verical:
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 4-Pin SOT-227


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  GA100SICP12-227  RF FET Transistor, 1.2 kV, 100 A, 133 W, SOT-227


GA100SICP12-227中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 10 mΩ

耗散功率 133 W

漏源极电压Vds 1.2 kV

漏源击穿电压 1200 V

上升时间 21 ns

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.4 mm

高度 12.19 mm

封装 SOT-227-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买GA100SICP12-227
型号: GA100SICP12-227
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:GENESIC SEMICONDUCTOR  GA100SICP12-227  合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-227

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