GI751-E3/73参数规格_中文资料_数据手册PDF

GI751-E3/73概述

Diode Switching 100V 6A 2Pin Case P600 Ammo

* Low forward voltage drop * Low leakage current, IR less than 0.1 μA * High forward current capability * High forward surge capability * Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

得捷:
DIODE GEN PURP 100V 6A P600

艾睿:
Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case P-600 Ammo

安富利:
Diode Switching 100V 6A 2-Pin Case P600 Ammo

GI751-E3/73中文资料参数规格

技术参数

正向电压 900mV @6A

反向恢复时间 2.5 µs

正向电压Max 900mV @6A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 P600, Axial

外形尺寸

封装 P600, Axial

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买GI751-E3/73

型号： GI751-E3/73

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Diode Switching 100V 6A 2Pin Case P600 Ammo

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替代型号GI751-E3/73

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