GB01SLT06-214

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GB01SLT06-214概述

GENESIC SEMICONDUCTOR  GB01SLT06-214  肖特基二极管, 1A, 650V, DO-214AA-3

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A DC Surface Mount DO-214AA


得捷:
DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA


立创商城:
650V 2V@1A


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA


艾睿:
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  GB01SLT06-214  Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, 650V Series, Single, 650 V, 1 A, 7 nC, DO-214AA


GB01SLT06-214中文资料参数规格
技术参数

正向电压 2V @1A

耗散功率 64000 mW

反向恢复时间 0 ns

正向电流 1 A

正向电压Max 2V @1A

正向电流Max 2.5 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 64000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买GB01SLT06-214
型号: GB01SLT06-214
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:GENESIC SEMICONDUCTOR  GB01SLT06-214  肖特基二极管, 1A, 650V, DO-214AA-3

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