GB01SLT12-252参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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GB01SLT12-252概述

Diode Schottky 1.2kV 5A 3Pin2+Tab TO-252

碳化硅肖特基 1A 表面贴装型 TO-252

得捷:
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252

立创商城:
1.2kV 1.8V@1A

艾睿:
Diode Schottky 1.2KV 5A 3-Pin2+Tab TO-252

GB01SLT12-252中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.8V @1A

耗散功率 65000 mW

反向恢复时间 0 ns

正向电压Max 1.8V @1A

正向电流Max 5 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃

耗散功率Max 65000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买GB01SLT12-252

型号： GB01SLT12-252

制造商： GeneSiC Semiconductor

描述：Diode Schottky 1.2kV 5A 3Pin2+Tab TO-252