GB01SLT12-220

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GB01SLT12-220概述

GENESIC SEMICONDUCTOR  GB01SLT12-220  二极管, 碳化硅肖特基, 硅, 1200V系列, 单, 1.2 kV, 1 A, 13 nC, TO-220AC

碳化硅肖特基 1A 通孔 TO-220-2


得捷:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC


贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, 硅, 1200V系列, 单, 1.2 kV, 1 A, 13 nC, TO-220AC


艾睿:
Diode Schottky 1.2KV 1A 2-Pin2+Tab TO-220AC


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  GB01SLT12-220  Silicon Carbide Schottky Diode, Silicon, 1200V Series, Single, 1.2 kV, 1 A, 13 nC, TO-220AC


AMEYA360:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC


GB01SLT12-220中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.8V @1A

耗散功率 42 W

反向恢复时间 17 ns

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 10 A

正向电压Max 1.8V @1A

正向电流Max 1 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 42000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

高度 9.17 mm

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买GB01SLT12-220
型号: GB01SLT12-220
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:GENESIC SEMICONDUCTOR  GB01SLT12-220  二极管, 碳化硅肖特基, 硅, 1200V系列, 单, 1.2 kV, 1 A, 13 nC, TO-220AC

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