GB02SLT12-214参数规格_中文资料_数据手册PDF

GB02SLT12-214概述

GENESIC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-214 肖特基二极管, 2A, 1.2KV, DO-214AA-3

Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 2A DC Surface Mount DO-214AA

得捷:
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA

e络盟:
肖特基二极管, 2A, 1.2KV, DO-214AA-3

艾睿:
Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin SMB

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-214 Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, 1200V Series, Single, 1.2 kV, 2 A, 14 nC, DO-214AA

GB02SLT12-214中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.8V @1A

耗散功率 65000 mW

反向恢复时间 0 ns

正向电流 2 A

正向电压Max 1.8V @1A

正向电流Max 5 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 65000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买GB02SLT12-214

型号： GB02SLT12-214

制造商： GeneSiC Semiconductor

描述：GENESIC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-214 肖特基二极管, 2A, 1.2KV, DO-214AA-3