GB02SLT12-252参数规格_中文资料_数据手册PDF

GB02SLT12-252概述

GENESIC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-252 Silicon Carbide Schottky Diode, 1200V Series, Single, 1.2kV, 2A, 14NC, TO-252

Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 5A DC Surface Mount TO-252

得捷:
DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252

艾睿:
Diode Schottky 1.2KV 5A 3-Pin2+Tab TO-252

Verical:
Diode Schottky 1.2KV 2A 3-Pin2+Tab TO-252

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-252 Silicon Carbide Schottky Diode, 1200V Series, Single, 1.2 kV, 2 A, 14 nC, TO-252

GB02SLT12-252中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.8V @2A

反向恢复时间 0 ns

正向电流 2 A

正向电压Max 1.8V @2A

正向电流Max 7 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 65000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买GB02SLT12-252

型号： GB02SLT12-252

制造商： GeneSiC Semiconductor

描述：GENESIC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-252 Silicon Carbide Schottky Diode, 1200V Series, Single, 1.2kV, 2A, 14NC, TO-252