GA05JT12-263

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GA05JT12-263概述

GENESIC SEMICONDUCTOR  GA05JT12-263  碳化硅结晶体管, 1.2KV, 5A, TO-263

1200V 15A Tc 106W Tc Surface Mount D2PAK 7-Lead


得捷:
TRANS SJT 1200V 15A D2PAK


e络盟:
碳化硅结晶体管, 1.2KV, 5A, TO-263


艾睿:
Trans JFET N-CH 1200V 5A SiC 4-Pin3+Tab TO-263


Verical:
Trans JFET N-CH 1200V 5A SiC Automotive 8-Pin7+Tab D2PAK


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  GA05JT12-263  Power MOSFET, 5 A, 1.2 kV


AMEYA360:
TRANS SJT 5A 1.2KV


GA05JT12-263中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 58 W

漏源极电压Vds 1.2 kV

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 106W Tc

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

高度 4.6 mm

封装 TO-263

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买GA05JT12-263
型号: GA05JT12-263
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:GENESIC SEMICONDUCTOR  GA05JT12-263  碳化硅结晶体管, 1.2KV, 5A, TO-263
替代型号GA05JT12-263
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

GA05JT12-263

GeneSiC Semiconductor

当前型号

当前型号

GA05JT12-247

GeneSiC Semiconductor

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GA05JT12-263和GA05JT12-247的区别

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