GA04JT17-247

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GA04JT17-247概述

GENESIC SEMICONDUCTOR  GA04JT17-247  超级结晶体管, 碳化硅, TO-247AB

通孔 - 1700 V 4A(Tc)(95°C) 106W(Tc) TO-247AB


得捷:
TRANS SJT 1700V 4A TO247AB


贸泽:
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A


e络盟:
超级结晶体管, 碳化硅, TO-247AB


艾睿:
Easily prevent voltage drops in your circuit by using GeneSiC Semiconductor&s;s GA04JT17-247 JFET transistor. Its maximum power dissipation is 91000 mW. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. It is made in a single configuration.


Verical:
Trans JFET N-CH 1700V 4A SiC Automotive 3-Pin3+Tab TO-247AB


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  GA04JT17-247  JFET Transistor, Junction Field Effect, 0.2 µA, 10 µA, TO-247AB, JFET


DeviceMart:
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB


GA04JT17-247中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 NPN

耗散功率 91 W

漏源极电压Vds 1700 V

上升时间 28 ns

下降时间 50 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 106W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买GA04JT17-247
型号: GA04JT17-247
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:GENESIC SEMICONDUCTOR  GA04JT17-247  超级结晶体管, 碳化硅, TO-247AB

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