GA10JT12-247参数规格_中文资料_数据手册PDF

GA10JT12-247概述

GENESIC SEMICONDUCTOR GA10JT12-247 碳化硅结晶体管, 1.2KV, 10A, TO-247AB

1200V 10A Tc 170W Tc Through Hole TO-247AB

得捷:
TRANS SJT 1200V 10A TO247AB

贸泽:
MOSFET 1200V 25A Standard

艾睿:
Trans JFET N-CH 1200V 25A SiC 3-Pin3+Tab TO-247

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR GA10JT12-247 Power MOSFET, 10 A, 1.2 kV

GA10JT12-247中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

耗散功率 91 W

漏源极电压Vds 1.2 kV

上升时间 9 ns

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 21.44 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买GA10JT12-247

型号： GA10JT12-247

制造商： GeneSiC Semiconductor

描述：GENESIC SEMICONDUCTOR GA10JT12-247 碳化硅结晶体管, 1.2KV, 10A, TO-247AB