GA20SICP12-263

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GA20SICP12-263概述

GENESIC SEMICONDUCTOR  GA20SICP12-263  合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-263

Power Driver Module 1.2kV 20A TO-263-8, D²Pak 7 Leads + Tab, TO-263CA


得捷:
SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV


贸泽:
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak


e络盟:
合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-263


艾睿:
Trans JFET N-CH 1200V 20A SiC 4-Pin3+Tab TO-263


Verical:
Trans JFET N-CH 1200V 20A SiC Automotive 8-Pin7+Tab D2PAK


Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR  GA20SICP12-263  RF FET Transistor, 1.2 kV, 20 A, 157 W, TO-263


AMEYA360:
SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV


GA20SICP12-263中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 50 mΩ

耗散功率 157 W

漏源极电压Vds 1.2 kV

漏源击穿电压 1200 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 131000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.668 mm

宽度 9.169 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买GA20SICP12-263
型号: GA20SICP12-263
制造商: GeneSiC Semiconductor
描述:GENESIC SEMICONDUCTOR  GA20SICP12-263  合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-263
替代型号GA20SICP12-263
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

GA20SICP12-263

GeneSiC Semiconductor

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