GB02SHT03-46参数规格_中文资料_数据手册PDF

GB02SHT03-46概述

肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Diode

Diode Silicon Carbide Schottky 300V 4A DC Through Hole TO-46

得捷:
DIODE SCHOTTKY 300V 4A

贸泽:
肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Diode

艾睿:
Diode Schottky 300V 4A 3-Pin TO-46

Newark:
# GENESIC SEMICONDUCTOR GB02SHT03-46 Silicon Carbide Schottky Diode, 300V Series, Single, 300 V, 4 A, 9 nC, TO-206AB

GB02SHT03-46中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.6V @1A

耗散功率 64 W

正向电流 4 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 10 A

正向电流Max 4 A

工作温度Max 210 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 210℃

工作结温Max 225 ℃

耗散功率Max 64000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-46-2

外形尺寸

高度 2.67 mm

封装 TO-46-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买GB02SHT03-46

型号： GB02SHT03-46

制造商： GeneSiC Semiconductor

描述：肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Diode