GA10SICP12-263参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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GA10SICP12-263概述

Trans Sjt 1200V 25A To263-7

1200V 25A Tc 170W Tc Surface Mount D2PAK 7-Lead

得捷:
TRANS SJT 1200V 25A D2PAK

GA10SICP12-263中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 170W Tc

输入电容Ciss 1403pF @800VVds

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买GA10SICP12-263

型号： GA10SICP12-263

制造商： GeneSiC Semiconductor

描述：Trans Sjt 1200V 25A To263-7