GT15J311SM,Q

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GT15J311SM,Q中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 200 ns

额定功率Max 70 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买GT15J311SM,Q
型号: GT15J311SM,Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3Pin3+Tab TO-220FL/SM

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