GT30J121Q

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GT30J121Q概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Sack

IGBT 600V 30A 170W Through Hole TO-3PN


得捷:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3-Pin3+Tab TO-3PN Sack


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-3PN


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 170W; TO3PN


Win Source:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN / IGBT 600 V 30 A 170 W Through Hole TO-3PN


GT30J121Q中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 170000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 170 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 170000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

GT30J121Q引脚图与封装图
GT30J121Q引脚图
GT30J121Q封装图
GT30J121Q封装焊盘图
在线购买GT30J121Q
型号: GT30J121Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 170000mW 3Pin3+Tab TO-3PN Sack

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