GT60N321Q参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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GT60N321Q概述

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

IGBT - 1000 V 60 A 170 W 通孔 TO-3P（LH）

得捷:
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

TME:
Transistor: IGBT; 1000V; 60A; 170W; TO3P

GT60N321Q中文资料参数规格

技术参数

额定功率 170 W

击穿电压集电极-发射极 1000 V

反向恢复时间 2.5 µs

额定功率Max 170 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

GT60N321Q引脚图与封装图

GT60N321Q引脚图

GT60N321Q封装图

GT60N321Q封装焊盘图

在线购买GT60N321Q

型号： GT60N321Q

制造商： Toshiba 东芝

描述：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH