GKI10526概述
DFN N-CH 100V 4A
N-Channel 100V 4A Ta 3.1W Ta, 46W Tc Surface Mount 8-DFN 5x6
得捷:
MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 4A 8-Pin DFN EP
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 4A 8-Pin DFN EP
GKI10526中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 3.44 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3.1W Ta, 46W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 2.8 ns
输入电容Ciss 1530pF @25VVds
额定功率Max 3.1 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 46W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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