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GKI06109图片1

GKI06109概述

Trans MOSFET N-CH 60V 9A 8Pin DFN EP

N-Channel 60V 9A Ta Surface Mount 8-DFN 5x6

得捷:
MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 8-Pin DFN EP

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 9A 8-Pin DFN EP

GKI06109中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.7 mΩ

耗散功率 3.1W Ta, 59W Tc

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2520pF @25VVds

额定功率Max 3.1 W

下降时间 10.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 59W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买GKI06109

型号： GKI06109

制造商： Sanken Electric 三垦电气

描述：Trans MOSFET N-CH 60V 9A 8Pin DFN EP