GN1A4M

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GN1A4M概述

GN1A4M 带阻尼PNP三极管 -60V -100mA/-0.1A 35~100 0.15W/150mW SOT-323/SC-70 标记M33 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 10KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 35~100 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW Description & Applications| Feature •silicon transistor •medium speed switching resistor built-in type PNP transistor •resistor built-in type •complementary to GA1A4M 描述与应用| 特点 •硅 •中速开关电阻器内置型PNP晶体管 •电阻器内置型 •GA1A4M互补

GN1A4M中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO -60V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO -50V

集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC -100mA/-0.1A

基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 10KΩ/Ohm

基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 10KΩ/Ohm

电阻比R1/R2 Resistance Ratio 1

直流电流增益hFE DC Current GainhFE 35~100

耗散功率Pc Power Dissipation 0.15W/150mW

规格书PDF __

数据手册

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型号: GN1A4M
制造商: NEC 日本电气
描述:GN1A4M 带阻尼PNP三极管 -60V -100mA/-0.1A 35~100 0.15W/150mW SOT-323/SC-70 标记M33 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

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