GS66506T-E01-MR

GS66506T-E01-MR中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 GaNPX-4

外形尺寸

长度 5.5 mm

宽度 4.5 mm

高度 0.54 mm

封装 GaNPX-4

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买GS66506T-E01-MR
型号: GS66506T-E01-MR
制造商: GAN Systems
描述:MOSFET 650V 22A E-Mode GaN

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