IRS21171STRPBF

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IRS21171STRPBF概述

高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA

High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC


得捷:
BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL


立创商城:
高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA


艾睿:
Driver 600V 1-OUT Hi Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC T/R


Allied Electronics:
HIGH-SIDE DRIVER IC, SINGLE CHANNEL


IRS21171STRPBF中文资料参数规格
技术参数

工作电压 10V ~ 20V

输出接口数 1

产品系列 IRS21171S

上升时间 130ns Max

下降时间 65ns Max

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRS21171STRPBF
型号: IRS21171STRPBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA

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