IPP50R299CP概述
INFINEON IPP50R299CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
The is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET with ultra-low gate charge and high peak current capability.
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- Extreme dV/dt rate
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- Ultra low RDS ON, very fast switching
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- Very low internal Rg
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- High peak current capability
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- Significant reduction of conduction and switching losses
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- High power density and efficiency for superior power conversion systems
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- Best-in-class performance ratio
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- Qualified according to JEDEC for target applications
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- Green device
IPP50R299CP中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 550 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1190pF @100VVds
额定功率Max 104 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 104 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management, 计算机和计算机周边, 消费电子产品, Consumer Electronics, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPP50R299CP
型号： IPP50R299CP
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPP50R299CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V