IS42S16100E-6TLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S16100E-6TLI-TR概述

动态随机存取存储器 16M 1Mx16 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

SDRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 166MHz 5.5ns 50-TSOP II

得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

贸泽:
动态随机存取存储器 16M 1Mx16 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 50-Pin TSOP-II T/R

IS42S16100E-6TLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 6ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 50

封装 TSOP-50

外形尺寸

长度 21.08 mm

宽度 10.29 mm

高度 1.05 mm

封装 TSOP-50

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42S16100E-6TLI-TR

型号： IS42S16100E-6TLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 16M 1Mx16 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

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替代型号IS42S16100E-6TLI-TR

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